سامسونگ به سرمایه‌گذاران اعلام کرده است که در هفته‌های آینده تولید تجاری لیتوگرافی سه نانومتری MBCFET را به‌شکل انبوه آغاز می‌کند.
تاریخ انتشار :يکشنبه ۱۱ ارديبهشت ۱۴۰۱ ساعت ۰۲:۰۰
۰
به گزارش مردم فردا،هرچه زمان می‌گذرد رقابت در بازار قطعات نیمه‌هادی شدیدتر می‌شود و سامسونگ در تلاش است خودش را به‌عنوان رهبر لیتوگرافی تراشه جا بزند. سامسونگ برای دستیابی به این هدف در تلاش است تا پیش از فرا رسیدن فصل تابستان، تولید تجاری ویفرهای مبتنی‌بر لیتوگرافی سه نانومتری را آغاز کند.
براساس آنچه TechSpot می‌نویسد سامسونگ در سال ۲۰۲۱ پیش‌بینی کرده بود تولید انبوه تراشه‌های سه نانومتری (3GAE) را پیش از پایان نیمه‌ی اول ۲۰۲۲ آغاز کند و یک سال بعد سراغ نسل دوم این لیتوگرافی برود. سامسونگ چند روز پیش در گفت‌و‌گو با سرمایه‌گذاران اعلام کرد «در هفته‌های آینده» تولید انبوه تراشه‌های سه نانومتری را آغاز می‌کند.
درحال‌حاضر هیچ شرکتی تولید تجاری تراشه‌های سه نانومتری را آغاز نکرده و سامسونگ تلاش می‌کند به اولین شرکت تبدیل شود. نکته‌ی دیگر این است که لیتوگرافی سه نانومتری سامسونگ اولین لیتوگرافی مبتنی‌بر ترانزیستورهای GAAFET خواهد بود. سامسونگ نسخه‌ی اختصاصی خود از ترانزیستورهای GAAFET را MBCFET خطاب می‌کند.
سامسونگ به مزایای لیتوگرافی جدید MBCFET نسبت به لیتوگرافی هفت نانومتری FinFET اشاره کرده است. این شرکت می‌گوید ترانزیستورهای MBCFET در ولتاژ زیر ۰٫۷۵ ولت نیز کار می‌کنند تا مصرف انرژی به‌میزان حداکثر ۵۰ درصد کاهش یابد و قدرت پردازشی ۳۰ درصد بهبود پیدا کند. همچنین پیش‌بینی می‌شود تراشه‌های سه نانومتری تا ۴۵ درصد کوچک‌تر باشند.
به‌نظر می‌رسد تراکم ترانزیستورها در ویفرهای سه نانومتری سامسونگ مشابه لیتوگرافی Intel 4 و TSMC 5N است، اما ویفرهای سامسونگ احتمالاً به‌لطف کانال‌های پهن‌تر و کاهش جریان نشتی می‌توانند عملکرد بهتری از خود نشان دهند. بزرگ‌ترین ابهام، بازده ویفرهای جدید سامسونگ است. سامسونگ در بازده لیتوگرافی چهار نانومتری با مشکلات گسترده مواجه شد و درنتیجه‌ی آن شماری از مشتریان مهم نظیر کوالکام تصمیم گرفتند برای تراشه‌های بعدی سراغ TSMC بروند.
دیگر شرکت‌ها مثل اینتل و TSMC نیز قصد دارند در سال‌های پیش رو سراغ ترانزیستورهای GAAFET بروند و احتمالاً مهاجرت به این نوع ترانزیستورها برای دو شرکت یادشده بسیار پرهزینه خواهد بود. سامسونگ می‌گوید سازگاری MBCFET با تجهیزات و فرایند تولید FinFET نه‌تنها سرعت توسعه‌ی ترانزیستورهای جدید را بالا برده، بلکه باعث کاهش هزینه‌ها شده است.
سامسونگ می‌گوید در فصل اول سال جاری میلادی تمام تراشه‌هایی را که تولید کرده به فروش رسانده و انتظار دارد تقاضا برای DRAM و محصولات NAND در ماه‌های آینده بالا باشد. سامسونگ در سه‌ماهه‌ی اول سال جاری میلادی ۱۱٫۲ میلیارد دلار سود عملیاتی کسب کرد که بیش از نیمی از این سود (۶٫۷ میلیارد دلار) توسط واحد تراشه‌ساز به‌دست آمد.
*تصویر تزئینی است
براساس آنچه TechSpot می‌نویسد سامسونگ در سال ۲۰۲۱ پیش‌بینی کرده بود تولید انبوه تراشه‌های سه نانومتری (3GAE) را پیش از پایان نیمه‌ی اول ۲۰۲۲ آغاز کند و یک سال بعد سراغ نسل دوم این لیتوگرافی برود. سامسونگ چند روز پیش در گفت‌و‌گو با سرمایه‌گذاران اعلام کرد «در هفته‌های آینده» تولید انبوه تراشه‌های سه نانومتری را آغاز می‌کند.
درحال‌حاضر هیچ شرکتی تولید تجاری تراشه‌های سه نانومتری را آغاز نکرده و سامسونگ تلاش می‌کند به اولین شرکت تبدیل شود. نکته‌ی دیگر این است که لیتوگرافی سه نانومتری سامسونگ اولین لیتوگرافی مبتنی‌بر ترانزیستورهای GAAFET خواهد بود. سامسونگ نسخه‌ی اختصاصی خود از ترانزیستورهای GAAFET را MBCFET خطاب می‌کند.
سامسونگ به مزایای لیتوگرافی جدید MBCFET نسبت به لیتوگرافی هفت نانومتری FinFET اشاره کرده است. این شرکت می‌گوید ترانزیستورهای MBCFET در ولتاژ زیر ۰٫۷۵ ولت نیز کار می‌کنند تا مصرف انرژی به‌میزان حداکثر ۵۰ درصد کاهش یابد و قدرت پردازشی ۳۰ درصد بهبود پیدا کند. همچنین پیش‌بینی می‌شود تراشه‌های سه نانومتری تا ۴۵ درصد کوچک‌تر باشند.
به‌نظر می‌رسد تراکم ترانزیستورها در ویفرهای سه نانومتری سامسونگ مشابه لیتوگرافی Intel 4 و TSMC 5N است، اما ویفرهای سامسونگ احتمالاً به‌لطف کانال‌های پهن‌تر و کاهش جریان نشتی می‌توانند عملکرد بهتری از خود نشان دهند. بزرگ‌ترین ابهام، بازده ویفرهای جدید سامسونگ است. سامسونگ در بازده لیتوگرافی چهار نانومتری با مشکلات گسترده مواجه شد و درنتیجه‌ی آن شماری از مشتریان مهم نظیر کوالکام تصمیم گرفتند برای تراشه‌های بعدی سراغ TSMC بروند.
دیگر شرکت‌ها مثل اینتل و TSMC نیز قصد دارند در سال‌های پیش رو سراغ ترانزیستورهای GAAFET بروند و احتمالاً مهاجرت به این نوع ترانزیستورها برای دو شرکت یادشده بسیار پرهزینه خواهد بود. سامسونگ می‌گوید سازگاری MBCFET با تجهیزات و فرایند تولید FinFET نه‌تنها سرعت توسعه‌ی ترانزیستورهای جدید را بالا برده، بلکه باعث کاهش هزینه‌ها شده است.
سامسونگ می‌گوید در فصل اول سال جاری میلادی تمام تراشه‌هایی را که تولید کرده به فروش رسانده و انتظار دارد تقاضا برای DRAM و محصولات NAND در ماه‌های آینده بالا باشد. سامسونگ در سه‌ماهه‌ی اول سال جاری میلادی ۱۱٫۲ میلیارد دلار سود عملیاتی کسب کرد که بیش از نیمی از این سود (۶٫۷ میلیارد دلار) توسط واحد تراشه‌ساز به‌دست آمد.
*تصویر تزئینی است
mardomefarda.ir/vdch.qn-t23n6mftd2.html
منبع : زومیت
